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英特尔首席技术官普什卡·拉纳德（Pushkar Ranade）在接受 Dwarkesh 播客采访时表示，即便资金充足，全球尖端晶圆产量也难以扩大十倍，更现实的增长上限约为两倍。
拉纳德是在被问及“世界上是否有足够工具把前沿晶圆产量提高 10 倍”时作出上述回应的。他认为，这一限制源于整个半导体供应链协同扩产的能力，而非某个单一环节。
他指出，AI 计算能力过去十年大约以每年三倍的速度增长，但制造先进芯片所需的关键设备、洁净室和晶圆厂规模，正在成为新的产能天花板。其中，ASML 每年生产的 EUV 光刻机不足 100 台，且到本十年末也难以大幅扩产，而英特尔、台积电以及 SK 海力士等存储厂商共同争夺这些设备。
拉纳德进一步解释，今天下单的设备通常约 18 个月后才能交付，意味着产能要到 2028 年前后才能落地。新建晶圆厂也无法自动带来更多晶圆，重要原因是设备供应跟不上。
他表示，若要整体提升产量，设备供应商、其上游供应商以及更底层的子供应商都必须同步增加产能。光刻机、关键零部件、材料、检测设备与工厂建设等环节，只要有一处“卡脖子”，先进晶圆的最终产出就难以大幅跃升。
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来源： 来源：IT之家（www.ithome.com）
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